2月2日，英特爾宣布與軟銀集團旗下子公司SAIMEMORY達成合作，共同開發一種名為Z角存儲器（Z-Angle Memory，ZAM）的新型存儲技術。該項目瞄準人工智能（AI）和高性能計算（HPC）對“更大容量、更低功耗、更高帶寬”內存的迫切需求，被外界視為英特爾重返高端內存賽道的重要信號。

根據雙方披露的信息，英特爾將主要承擔技術、創新與標準相關工作，SAIMEMORY則負責技術落地并主導商業化推進，軟銀方面將投資約30億日元。項目計劃于2026年第一季度開始運營，2027年推出原型產品，并于2030年實現商業化。

一、英特爾從“內存霸主”到長期缺席

ZAM項目之所以引發關注，與英特爾在內存領域的歷史淵源密不可分。1970年，英特爾推出了全球首款商業上取得成功的DRAM（動態隨機存儲器）產品，并在隨后數年內一度占據全球近90%的市場份額。然而，隨著日韓廠商在成本和制造上的優勢不斷擴大，DRAM業務利潤持續下滑，英特爾最終在1985年退出該市場。

此后近四十年，英特爾雖未再直接參與DRAM量產競爭，但并未完全放棄對新型存儲架構的探索。如今，在AI算力需求爆發、傳統存儲體系遭遇瓶頸的背景下，英特爾選擇以“顛覆式架構”而非傳統DRAM路線重返賽場，其背后的邏輯值得深入分析。

二、新型內存技術是“DRAM的升級版”

ZAM的技術根基，來自SAIMEMORY正在推進的一種堆疊式DRAM架構。與當前主流高帶寬內存（HBM）相比，該技術旨在顯著提升內存容量，大幅降低功耗，并改進封裝技術，從而緩解AI系統擴展過程中的關鍵瓶頸。

SAIMEMORY的技術棧，源自美國能源部和國家核安全管理局支持的先進存儲技術（AMT）研發計劃。該計劃由桑迪亞國家實驗室、勞倫斯·利弗莫爾國家實驗室和洛斯阿拉莫斯國家實驗室聯合推進，重點探索面向未來超級計算和AI系統的新型內存架構。英特爾早期正是AMT項目的重要參與方，其研究成果為堆疊式DRAM的可行性提供了關鍵驗證。英特爾還推進了下一代DRAM鍵合（Next Generation DRAM Bonding，NGDB）計劃，展示了更高的DRAM密度和帶寬，同時降低了延遲和能耗，為ZAM奠定了核心技術支撐。

三、NGDB：彌合HBM與DDR之間的“結構性斷層”

1月8日，桑迪亞國家實驗室披露了研發最新進展，系統地揭示了英特爾NGDB的技術特征。當前，HBM通常通過犧牲容量或能效來換取帶寬提升，而NGDB的目標正是消除這種“零和權衡”。其設計思路，是大幅提升單封裝容量，并顯著降低功耗，從而在HBM與傳統DDR DRAM之間搭建一座“性能橋梁”。

從已公布的測試組件來看，NGDB測試組件的橫截面顯示了其非傳統的設計：英特爾準備了四個NGDB DRAM測試組件進行評估，每個單元都構建在一個基礎層上，并在其上垂直堆疊了八個DRAM層。桑迪亞國家實驗室指出，該項目涉及開發一種新型堆疊方法和一種新的DRAM架構。早期原型驗證了這種組裝方法能夠克服現有內存容量的限制，而最新的原型則展示了采用新型堆疊技術實現的全功能DRAM。

圖1 NGDB測試組件橫截面圖

桑迪亞國家實驗室首席技術人員Gwen Voskuilen表示，“此次演示證實，NGDB技術可以結合起來，提供適合大規模生產的高性能存儲器”。

英特爾院士兼英特爾政府技術首席技術官約書亞·弗萊曼博士也表示：“英特爾的NGDB計劃展示了一種全新的內存架構和革命性的組裝方法，可顯著提升DRAM性能、降低功耗并優化內存成本。標準內存架構無法滿足人工智能的需求，因此NGDB定義了一種全新的方法，以加速我們邁向下一個十年。”?

四、ZAM的商業雄心：直接對標HBM

ZAM項目可以被視為AMT與NGDB成果的“商業化延伸”。英特爾將把在國家實驗室階段積累的技術經驗，通過SAIMEMORY這一載體導入產業體系，實現從前沿研究到全球部署的跨越。這一合作也具有明顯的地緣與產業意義。SAIMEMORY背靠軟銀集團，日本方面還聯合了富士通、日本理化學研究所等科研與產業力量，而英特爾則貢獻其在先進封裝、互連與系統架構方面的長期積累。

從已披露的目標參數來看，ZAM直指當前炙手可熱的HBM市場。SAIMEMORY計劃，通過垂直堆疊多個DRAM芯片，并結合英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術優化互連，實現以下關鍵指標：

1）容量：達到HBM的2-3倍，單芯片容量最高可達512GB；

2）功耗：較HBM降低40%–50%；

3）成本：量產成本控制在HBM的約60%，同時保持相近甚至更低的綜合成本水平。

如果這些目標能夠兌現，ZAM將不只是HBM的補充，而可能在特定應用場景中形成實質性替代，尤其是在對能效和容量高度敏感的領域。

五、ZAM可能助推英特爾的“第二增長曲線”

當然，挑戰依然存在。從良率控制、生態適配，到與既有HBM標準的競爭，ZAM距離真正落地仍有多年路程。但不可忽視的是，其低功耗、高容量、差異化定位，為英特爾提供了一條避開正面價格戰、切入細分市場的現實路徑。

在邊緣計算、中小規模AI服務器以及特定加速器系統中，ZAM有望形成獨特優勢。更重要的是，在CPU市場承壓、代工業務虧損、AI芯片競爭激烈的多重壓力下，內存體系的突破，可能成為英特爾重新定義自身增長軌跡的重要支點。從AMT到NGDB，再到ZAM，英特爾并非簡單“回歸DRAM”，而是在嘗試以架構創新重塑內存行業的技術路線圖。

資料來源：

[1] Intel. Intel and SoftBank Subsidiary SAIMEMORY Collaborate to Advance Next-Generation Memory for AI[EB/OL]. (2026-02-02)[2026-02-10].

https://community.intel.com/t5/Blogs/Intel/Policy-Intel/Intel-and-SoftBank-Subsidiary-SAIMEMORY-Collaborate-to-Advance/post/1735559.

[2] Sandia National Laboratories. From early R&D to mature technology[EB/OL]. (2026-01-08)[2026-02-10]. https://www.sandia.gov/research/news/from-early-rd-to-mature-technology/.

[3] TrendForce. Intel Reenters DRAM Race? A Closer Look at the Z-Angle Memory Collaboration with SoftBank[EB/OL]. (2026-01-08)[2026-02-10]. https://www.trendforce.com/news/2026/02/03/news-intel-reenters-dram-race-a-closer-look-at-the-z-angle-memory-collaboration-with-softbank/.